SIDR668DP-T1-GE3

ছবিটি রেফারেন্সের জন্য, প্রকৃত ছবি পেতে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন

প্রস্তুতকারকের অংশ	SIDR668DP-T1-GE3
প্রস্তুতকারক	Vishay / Siliconix
বর্ণনা	MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
শ্রেণী	পৃথক অর্ধপরিবাহী পণ্য
পরিবার	ট্রানজিস্টর - fets, mosfets - একক
জীবনচক্র:	New from this manufacturer.
ডেলিভারি:	DHL FedEx Ups TNT EMS
পেমেন্ট	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
তথ্য তালিকা	SIDR668DP-T1-GE3 PDF

উপস্থিতি

ইনস্টক	৪৪
একক দাম	$ 3.07000

SIDR668DP-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIDR668DP-T1-GE3 স্পেসিফিকেশন

টাইপ	বর্ণনা
সিরিজ:	TrenchFET® Gen IV
প্যাকেজ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
অংশ অবস্থা:	Active
fet টাইপ:	N-Channel
প্রযুক্তি:	MOSFET (Metal Oxide)
উৎস ভোল্টেজ থেকে ড্রেন (ভিডিএসএস):	100 V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:	23.2A (Ta), 95A (Tc)
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ rds চালু, সর্বনিম্ন rds চালু):	7.5V, 10V
rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস:	4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি:	3.4V @ 250µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস:	108 nC @ 10 V
ভিজিএস (সর্বোচ্চ):	±20V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (ciss) (সর্বোচ্চ) @ vds:	5400 pF @ 50 V
fet বৈশিষ্ট্য:	-
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ):	6.25W (Ta), 125W (Tc)
অপারেটিং তাপমাত্রা:	-55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ:	Surface Mount
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ:	PowerPAK® SO-8DC
প্যাকেজ / কেস:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.